今年张仲谋也有五十多岁了，在1949年进入美丽坚哈佛大学学习，是全校1000多位新生中，唯一一位龙国人，在哈佛期间，修习了物理，化学，数学等课程。
成绩常年保持在年级前10℅，1950年，申请转学到麻省理工机械系二年级，攻读机械课程，在麻省理工学院办公伴读。
1952年获得麻省理工机械系学士学位，1953年获得麻省理工机械系硕士学位，在申请攻读博士学位却没有获得资格考试。
在两次报考失败后，他决定工作，后加入“希凡尼亚”，担任半导体部门工程师，在稀饭你呀期间，先是改良了公司锗晶体管生产线的焊接技术。
1958年，希凡尼亚公司更换半导体部门经营团队后，裁撤张仲谋团队部分工程师，并解散其团队。
对此，张仲谋抗议，抗议无效后，直接跳槽了。
之后，张仲谋前往德州仪器公司面试，并获聘为生产线“工程主管”，负责ibm委托德州仪器公司生产的npn扩散型晶体管。
npn扩散型晶体管的生产优良率ibm仅平均在5℅左右，德州仪器公司初期的生产优良率更是近乎0℅。
张仲谋通过在希凡尼亚学到的理论知识和分析办法，带领团队变动生产流程，使生产优良率提高到20℅，后通过持续改良，更是保持在30℅以上。
生产工程上立功，不久他便被调升为锗晶体管研发经理，直接对锗晶体管总经理负责。
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