然后用毛刷粘上融化后的石蜡在粗制的碳化硅晶材上刷上薄薄的一层。
等待晶材表面的石蜡冷却凝固后，再用小刻刀将需要侵蚀的部分上的石蜡清理干净，露出里面的碳化硅。
最后再刷上一层之前就制备好的氢氟酸，等待半个小时左右。
漫长的时间中，氢氟酸会将没有石蜡保护部分的碳化硅中的硅分子腐蚀掉，方便后续铝离子的嵌入以及极点的镶嵌。
这种做法，是他理解原始晶体管以及集成电路制备方法后结合定下来的。
虽然他现在没有光刻机，也暂时没法制造集成晶体板。
但这并不代表他不能使用集成晶体的制造方式来制造碳化硅晶体管。
相对比原始晶体管，这种方式制备的碳化硅半导体晶体管体积更小，也更加稳定。
而且因为应用了集成电路的侵蚀镀刻，在功率、响应效率和使用寿命上也更加强大。
如果说原始的晶体管需要五千颗才能达到每秒百万次的运算量的话。
那这种碳化硅晶材加特殊手法制备的晶体管大概两千多颗就够了。
The content is not finished, continue reading on the next page